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在完成 Metal 4 的化学机械抛光 (CMP) 与清洗后，沉积 ILD 4-1 作为初始层或刻蚀停止层，从而为随后的大容量 ILD 4-2 沉积做好表面准备 [P4]。该本体电介质的主要功能是在物理上将 Metal 4 与随后的 Metal 5 层隔离开来，并作为 Via 4 互连结构的容纳载体 [A2]。随着器件微缩导致互连间距大幅减小，最大限度降低电阻-电容 (RC) 延迟成为关键优先事项，这使得先进的低介电常数 (low-k) 材料的使用变得必不可少 [P1]。