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MET4模块中的CMP后清洗（Post CMP Cleaning）步骤紧接在块体铜（Cu）和Ta基衬垫的平坦化工艺之后 [P2]。在此阶段，晶圆表面严重污染了残留的磨料颗粒、金属离子和有机腐蚀抑制剂 [P1]。在进行ILD 4-1层的沉积之前，必须彻底清除这些残留物，以确保介电层的良好附着力，并防止相邻互连线之间形成漏电路径 [P2]。与主要处理稳定的氧化物和氮化物表面的STI CMP后清洗步骤不同，此MET4清洗步骤必须处理高反应性的暴露Cu线路和不同的Ta基衬垫 [P2]。