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VIA 4 - Photo 步骤定义了后段工艺（BEOL）模块中连接 Metal 4 与底层 Metal 3 的垂直互连结构 [A1]。该图案化步骤位于 ILD 4-2 氧化层沉积及光刻前清洗之后，为后续介质层的选择性等离子体刻蚀提供了所需的光刻胶保护模板 [T2]。这些垂直连接对于将电信号和电力通过多层互连堆栈传输至下方的有源半导体器件至关重要 [T2]。