40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，上部垂直栅格（Upper Vertical Grid）作为一种高不透明度的遮光层，用于防止相邻像素之间的光学串扰 （工程实践）。在光刻图案化之后，W刻蚀步骤将光刻胶掩模图案转移到下方的钨层中，以形成高度垂直的栅格壁 [A2]。选择钨是因为其具有出色的光学密度和耐火稳定性，但其成功集成需要严格的各向异性干法刻蚀工艺，以保持精确的关键尺寸 [P1]。