40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

下层 OCL 刻蚀是 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器制造中 LS_GRID 模块的关键工艺步骤 [A2]。该步骤位于下层 OCL 涂覆刻蚀之后，直接将预先定义的中间垂直网格或焊盘结构转移到块体下层片上透镜（OCL）材料中 [A2]。与主要用于打开浅层抗反射或保护性硬掩模层的涂覆刻蚀不同，该主要刻蚀步骤会去除块体体积的光学树脂，以定义实际的光导几何形状或清理光学焊盘区域 [A2]。