40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，遮光（LS）栅格需要精确的图形化以防止相邻像素之间的光学串扰（工程实践）。在“中段垂直栅格沟槽 - 光刻”步骤之后，必须先将光刻图形通过中间层进行转移，然后再对下方的栅格材料进行刻蚀（工程实践）。“下层 OCL 涂层刻蚀”专门针对为了平坦化像素阵列形貌并减少光刻反射而沉积的有机平坦化层（OPL）或抗反射涂层 [A2]。