亚波长的物理尺寸要求刻蚀工艺表现出亚纳米级的轮廓控制,以防止焊盘间漏电或光学异常 [P2]。
在40nm BSI CMOS图像传感器中,像素光学隔离是通过背面遮光栅格(LS_GRID)实现的 (工程实践)。Optical Pad 2 Etch步骤是一个关键的图案化工艺,在下层光学涂层(OCL)被清除后,它选择性地去除外围电气接触焊盘上方的特定中间介电层 [P2]。与分别针对初始硬掩模开口或最终深衬底穿透的Optical Pad 1或3刻蚀不同,Pad 2 Etch专门用于图案化OCL下方的中间无机钝化层或缓冲层 [P2]。
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