40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器中，传感有效区从背面进行曝光，这就要求必须通过复杂的背面光学层堆叠来连接金属互连线和键合焊盘 [A2]。“光学焊盘3刻蚀”（Optical Pad 3 Etch）是顺序刻蚀级联中的一个关键中间步骤，旨在逐步穿透上层网格密封层（grid seal layer）和各种光学限制层，以露出下方的连接焊盘 [P1]。它紧随“上层网格密封层刻蚀”之后，为后续的下层光学透明层（OCL）刻蚀方案做好准备 （工程实践）。