40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式 (BSI) CMOS 图像传感器工艺流程中，片上微透镜 (OCL) 的制造需要精确的光学堆叠工程，以最大限度地提高光收集效率 [P2]。下层 OCL 涂层刻蚀步骤发生于封装相关的 BONDPAD 模块内，紧随光学 Pad 3 刻蚀之后，并在主要的下层 OCL 刻蚀之前进行 （工程实践）。该步骤的主要目的是彻底穿透一层专门的平坦化或抗反射涂层，该涂层有助于底层微透镜材料的光刻图案化 （工程实践）。