光刻在胶层中定义深沟槽开口，后续硬掩膜和硅刻蚀再逐级转移图形，形成像素隔离所需的几何基础（工程实践）。
本步在光刻胶中定义正面深沟槽的开口图形。前序已提供硬掩膜；随后独立的氧化物硬掩膜刻蚀和硅沟槽刻蚀，才会把开口逐级转移到衬底。本步完成时，光刻胶图形并不是已经形成的深沟槽，也尚未构成完整的像素隔离结构。
曝光改变感光材料的化学状态，显影将溶解性差异转化为保留与去除区域。成像、胶层响应和显影共同决定边缘位置及轮廓，不能把最终图形归因于曝光单个环节。抗反射处理和邻近效应修正可帮助控制反射或图形环境的影响，但不能保证边缘完美或所有开口连续。
焦点、曝光与显影状态相互影响开口尺寸和胶形貌；胶的稳定性与后续掩膜刻蚀耐受性也需要兼顾。表面起伏或局部图形环境可能使不同位置的成像响应不同。这些关系描述可变化的工艺条件，不规定当前 Flow 的唯一曝光设备、胶体系或具体设定。
后续硬掩膜刻蚀接收光刻胶中的开口。掩膜损耗、反应输运及硅刻蚀会继续改变图形，胶边缘粗糙度与侧壁斜率不一定被线性复制到最终沟槽。成像位置应与设计及对准基准核对，而不能假定本步之前已经形成所有有源区。
沟槽位置与连续性会影响后续隔离布局，但电学及光学隔离还取决于沟槽深度、填充、界面状态和整个像素结构。粗糙度可能改变几何表面积；增加面积不自动意味着单位面积陷阱密度提高，更不能单凭光刻胶边缘就推断暗电流或光响应必然如何变化。
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