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N-Well接触离子注入（IIP）步骤被集成在工艺流程中，用于对预先形成的N-Well区域表面进行重掺杂，从而确保后续金属布线能够实现低电阻的欧姆接触 [T2]。该工艺紧接在“外围N-Well接触IIP - 光刻”步骤之后，通过物理方式将掺杂剂引入由显影后的光刻胶掩模所定义的区域内 [T1]。与依赖光学光刻来克服衍射极限并创建空间模板的前置光刻步骤不同 [T2]，此IIP步骤从根本上改变了硅的电学性质 [T1]。