在 Pad Oxide 刻蚀之后，接触孔底部必须保持绝对清洁，以与后续的 Ti 沉积形成最佳的欧姆接触 。此前的氟碳基干法刻蚀会残留富含碳的聚合物（CFx）以及受到化学损伤的硅表面 。如果这些残留物未被去除，它们将充当隧穿势垒，呈指数级增加比接触电阻率 。因此，该灰化和剥离/清洗步骤专门用于消除等离子体诱导的聚合物和亚表面损伤，确保为钛硅化反应提供一个原始的硅界面 。这与中段工艺（MOL）的大容量灰化步骤不同，因为它直接影响有源器件的接触电阻，而不仅仅是执行光刻胶的大
容量去除 。
清洗工艺依赖于氧化和选择性溶解机制的序列 。首先，采用基于氧的等离子体灰化，将有机和碳基氟碳聚合物氧化为 CO 和 CO2 等挥发性副产物 。然而，仅靠灰化是不够的，因为高能等离子体刻蚀会将碳和氟化学注入硅晶格中，在衬底顶层形成牢固的 Si-C 和 Si-F 键 。为了去除这一损伤层，需要后续的湿法化学处理，通常利用稀 HF 来剥离 O2 灰化过程中产生的薄牺牲氧化层 。这种“氧化-去除”循环有选择性地消耗受控的纳米级损伤硅层，在不导致源/漏极结深过度加深的情况下暴露出下方的原始晶格 。