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在 Pad Oxide 刻蚀之后，接触孔底部必须保持绝对清洁，以与后续的 Ti 沉积形成最佳的欧姆接触 [T1]。此前的氟碳基干法刻蚀会残留富含碳的聚合物（CFx）以及受到化学损伤的硅表面 [P3]。如果这些残留物未被去除，它们将充当隧穿势垒，呈指数级增加比接触电阻率 [T1]。因此，该灰化和剥离/清洗步骤专门用于消除等离子体诱导的聚合物和亚表面损伤，确保为钛硅化反应提供一个原始的硅界面 [P3]。