40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此步骤直接在减薄后的硅衬底背面的指定光电二极管阵列上方沉积并图案化红色滤光片元件 [A1]。在背照式 (BSI) CMOS 图像传感器中，滤光片阵列被放置在背面光学堆叠上，以尽量缩短其与钉扎光电二极管 (pinned photodiode) 之间的距离，从而减少光学串扰和载流子串扰 [P2]。彩色成像器依赖这些涂覆的滤光片将入射的白光分离为原始的红、绿、蓝信号，以进行局部光电转换 [T1]。