40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成 NMOS LDD 离子注入后，晶圆上仍残留有硬化光刻胶掩模，必须在沉积侧墙间隔层（SWS）垫氧化物之前将其彻底清除 [A2]。与标准光刻步骤不同，此处的光刻胶经历了高能掺杂离子的轰击，其表层转变为高度交联且碳化的硬壳，被称为高剂量离子注入光刻胶（HDI-PR）[P1]。如果不能彻底清除该硬化掩模及其相关的有机或金属残留物，后续的介电层沉积将出现附着力差和界面污染问题，严重降低器件良率 [P4]。