40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

之前的像素阵列 P-Well IIP 步骤引入了高能 p 型掺杂剂，以形成图像传感器阵列的隔离区和晶体管体区 [P4]。在此注入过程中，光刻胶作为保护掩膜，吸收高能离子并将光刻胶表面转化为具有高度交联硬化外壳的高剂量离子注入光刻胶（HDI-PR）[P1]。此灰化与剥离/清洗步骤是严格必需的，旨在在后续的外围 P-Well 光刻步骤之前彻底清除该硬化聚合物层以及任何金属或有机污染物 [P1]。未能去除该残留物将导致后续逻辑阱图案化过程中出现严重的套刻误差和交叉污染 [P2]。