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这一特定的灰化及剥离/清洗步骤出现在 N-Well 离子注入之后、光电阴极的下一道光刻工序之前 [P4]。在之前的 N-Well 高能注入过程中，光刻胶掩模发生了剧烈的物理和化学变化，形成了一层碳化且高度交联的硬壳，即高剂量离子注入光刻胶（HDI-PR）[P2]。此步骤的目的是彻底去除这种降解的光刻胶以及注入过程中引入的任何金属或有机污染物，确保硅表面清洁，以进行后续处理 [P1]。