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此氮化物硬掩模沉积步骤严格定位于双栅氧（DGOX）模块内，以保护先前生长的薄栅氧化层 [T1]。通过物理覆盖薄氧化层区域，该氮化物层可防止氧渗透以及在后续厚栅氧化层光刻、刻蚀和热处理过程中发生非预期的氧化生长 [A3]。此处专门选用氮化硅，是因为氧气通过该薄膜的扩散速度极慢，使其成为抗高温氧化的理想掩模 [T1]。