40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在现代半导体逻辑和图像传感器制造中，不同的晶体管需要不同的栅极氧化层厚度；核心器件依靠缩减的薄氧化层来最大化驱动电流和开关速度，而 I/O 或像素晶体管则需要厚氧化层来承受更高的工作电压并防止隧穿泄漏 [T1]。氮化物硬掩模（Nitride Hard Mask）刻蚀步骤明确旨在将光刻的双栅氧化层（DGOX）边界图案转移到氮化硅层中 [A2]。通过选择性地去除氮化物，该步骤暴露出需要热生长厚栅氧化层的特定有源区，而残留的氮化物则作为薄氧化层区域的坚固氧化阻挡层 [A2]。