SACOX Removal - 40nm 工艺步骤

稀释的湿法化学确保反应速率主要受表面化学动力学而非传质过程控制，从而提供了防止衬底过度点蚀所需的亚纳米级刻蚀控制 [P3]。

在 CMOS 工艺流程中，高性能 MOSFET 的制造从根本上依赖于在硅沟道与栅极介电层之间建立近乎理想的界面 [T1]。在用于阱形成和阈值电压调整的高能离子注入之后，硅衬底的最顶层不可避免地会遭受晶格损伤和嵌入的污染物 [A1]。为了补救这一点，通常会预先执行牺牲氧化步骤，刻意消耗受损的硅并将其转化为牺牲氧化物（SACOX）层；事实证明，该技术能够平整被先前工艺损坏的硅壁 [A1]。