40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

现代CMOS工艺要求器件在不同的电压水平下运行，因此需要不同的栅极绝缘层厚度来平衡驱动电流和介电击穿极限 [T2]。在此特定的集成流程中，晶圆上已经沉积了薄栅氧化层和随后的氮化物硬掩模 [A2]。“厚栅氧化层-光刻”（Thick Gate Oxide - Photo）步骤利用光刻技术选择性地定义高压器件（如I/O晶体管或图像传感器传输栅）的区域 [A2]。通过在氮化物硬掩模上涂覆并显影光刻胶层，该步骤为后续的硬掩模刻蚀确定了空间边界 [A1]。