40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

随着 CMOS 技术向多电压方向发展，双栅氧化层工艺变得不可避免 [P1]。在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，区分高压和低压晶体管区域需要高精度的图形化工艺 [P4]。这一特定的光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤发生在氮化硅硬掩模沉积之后、厚栅氧化层光刻步骤之前 [P1]。与工艺流程中其他用于处理裸硅或栅氧化层的光刻前清洗不同，该步骤专门针对已沉积的氮化硅表面，旨在去除抗蚀剂涂布前的外来颗粒和有机残留物 [A3]。