40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在双栅氧化层（DGOX）集成方案中，现代 CMOS 图像传感器需要同时具备低压逻辑晶体管和高压像素/I-O 晶体管 [T1]。此步骤专门生长较厚的介电层，以在不发生破坏性介电击穿的情况下承受更高的工作电压 [T1]。通过在氮化物硬掩模刻蚀及后续清洗之后执行此生长工艺，热氧化可以针对性地在暴露的硅区域进行，而剩余的氮化物则掩蔽未来的薄氧化层区域 [P3]。这种选择性的空间生长方式使其有别于全局初始氧化层生长或后续的薄栅氧化层步骤，为后续的氮化物去除及最终栅极堆叠形成主动制备衬底 [A2]。