40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm CMOS图像传感器的双栅氧（DGOX）模块中，氮化硅硬掩模用于在厚栅氧的局部生长过程中保护特定区域 [P1]。一旦厚热氧化层生长完成以满足高压操作要求，必须将保护性氮化硅硬掩模完全去除，从而露出下层区域以进行后续的栅极堆叠形成 [A1]。此步骤紧接在掺砷PolySi沉积之前，以确保栅电极能够与原始栅介质直接接触，中间无牺牲层干扰 [T1]。