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在完成 NMOS $V_T$ 调节注入及后续的去胶步骤后，暴露出的硅表面仍残留物理损伤和潜在污染物 [P1]。为确保后续步骤中生长的关键栅极介质的完整性，工艺流程中引入了牺牲氧化（SACOX）步骤 [T1]。正如 [A1] 中所述，牺牲氧化层的形成涉及暴露硅材料的部分氧化，将其转化为 SiO₂。该步骤旨在消耗硅衬底的最顶层，因为该层中蕴含了注入诱发的晶格缺陷和残留污染物 [A1]。