40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

外围 N-Well Contact IIP 光刻步骤是一项关键的光刻操作，旨在为 CMOS 图像传感器逻辑电路中既有的 N-Well 内部定义高掺杂表面注入的局部区域 [T2]。与定义用于容纳 PMOS 器件的深层轻掺杂阱体的 Periphery N-Well IIPX 版图不同，该接触孔版图严格针对表面区域，以实现后续的低电阻欧姆连接 [P2]。此外，它与像素阵列阱区版图不同，因为外围器件负责处理高速数字和模拟信号，需要稳健的阱偏置触点来动态控制阈值电压并抑制亚阈值漏电 [T1]。