40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成高剂量 N-Well Contact IIP 后，必须在进行 NMOS VT Adjust 光刻前将光刻胶掩模完全清除 [P1]。在接触孔注入过程中，光刻胶会吸收大量高能 N 型离子，使其表层转化为一种高度交联且碳化的硬壳，即高剂量离子注入光刻胶（HDI-PR）[P1]。如果不能将这种硬化外壳及其下方的本体光刻胶完全清除，残留的有机物将严重影响后续 NMOS VT Adjust 光刻胶的涂覆性能和套刻对准 [P1]。