40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

N-Well IIPX（离子注入工艺）将n型掺杂剂物理引入硅衬底中，以形成CMOS图像传感器外围电路中的PMOS晶体管阱区和隔离结构 [P1]。该步骤与前一道“外围N-Well IIPX - 光刻”步骤严格区分，后者仅用于定义光刻胶掩模，以阻挡像素阵列和NMOS区域的注入 [P1]。在该注入完成后，必须在随后的“灰化与剥离/清洗”模块中彻底去除光刻胶，以便为后续的像素特定工艺（如光电阴极注入）做好晶圆准备 [T1]。