40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在CMOS图像传感器的制造流程中，像素阵列P-Well离子注入（IIP）步骤紧随N-型光电阴极注入及相关的光刻工艺之后 [P3]。该步骤引入p-型掺杂剂，以形成容纳像素有源读出组件（如复位晶体管和源极跟随器）的基础阱结构 [T2]。对于有源像素传感器而言，至关重要的是，深P-Well在P-型外延层与无关的N-Well之间建立了一个静电屏蔽层 [P3]。