40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器深沟槽隔离（DTI）模块中，过量氮化物湿法刻蚀去除步骤至关重要，其目的是在CMP本体平坦化后彻底清除残留的氮化硅（SiN）[A1]。上游CMP工艺在处理不同图形密度时的全局均匀性方面存在固有困难，为了避免在高深宽比DTI结构中产生严重的凹陷（dishing），往往会留下局部SiN残留或微米级的过量覆盖层 [P2]。