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F_DTI 模块中的 CMP 后清洗步骤紧随化学机械平坦化 (CMP) 工艺之后，用于去除深沟槽隔离 (DTI) 结构上多余的氮化硅 [A2]。在之前的 CMP 工艺中，晶圆表面会受到磨料纳米颗粒、抛光垫碎屑和有机化学添加剂的严重污染 [P1]。该清洗步骤旨在彻底去除这些残留物，暴露出原始的氮化硅和垫氧化层表面，这是后续湿法蚀刻去除剩余氮化层所必需的 [A2]。