40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在掺杂激活和初始 CESL 1 沉积之后，CESL 2 沉积完成了接触孔刻蚀停止层（Contact Etch Stop Layer）的堆叠，随后进行厚的前金属介质层（PMD）沉积 [A1]。在 40nm CMOS 图像传感器工艺流程中，集成二次 CESL 层主要有两个功能：在后续高深宽比接触孔形成过程中提供高选择性的刻蚀停止能力，以及调节本征沟道应力 [A1, P4]。