Wet Deglaze Etch - 40nm 工艺步骤

湿法去釉必须与致密化退火的应力调制紧密耦合，以确保氧化物去除在孤立和密集有源区阵列上均保持高度均匀 [P3]。

在 STI CMP 和最终致密化退火之后，晶圆表面由平坦化的 STI 氧化层和底层的氮化硅 (SiN) 衬垫层组成 [P2]。在化学机械抛光工艺中，SiN 衬垫顶部通常会残留氧化物，或者 STI 氧化层需要进行轻微的凹陷（recess）以准备后续的 SiN 去除工艺 [A2]。湿法去釉刻蚀（Wet Deglaze Etch）可去除该残留氧化层，确保后续的热磷酸浴能够均匀接触并去除 SiN 层，而不会受到氧化物微掩模的阻挡 [P2]。