40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

浅沟槽隔离（STI）模块中的硅（Si）刻蚀步骤紧接在氮化物和衬垫氧化物硬掩模的图案化之后 [P1]。其主要目标是在晶体硅衬底上物理雕刻出受高度控制的沟槽，从而建立隔离相邻有源晶体管区域的物理边界 [T1]。与较旧的 LOCOS 方法不同，STI 几乎不会产生场区侧向侵蚀，这对于在高性能深亚微米集成中保留有源区至关重要 [P2]。在 纳米尺度 背照式（BSI）CMOS 图像传感器的背景下，这种隔离不仅对于标准的电气隔离至关重要，而且对于抑制相邻像素之间的寄生导电和串扰也至关重要 [P2]。