40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此步骤定义了40nm BSI CMOS图像传感器外围区域中N型阱注入的空间边界 [A1]。在光刻前清洗之后，涂布一层光刻胶并进行图形化，仅暴露外围区域中指定用于PMOS器件体区的部分 [A1]。与针对光电二极管和像素级晶体管掺杂进行优化以提高光捕获能力的像素阵列P-Well或光电阴极（Photocathode）光刻步骤不同，此步骤专门用于传感器外围的逻辑和读出电路 [T1]。