40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

WELL模块中的“Ox growth”步骤主要作为后续N-Well光刻和离子注入步骤之前的保护性屏障氧化层 [A2]。在STI SiN去膜（strip）和湿法除胶（deglaze）之后，硅表面处于裸露状态，需要进行钝化以防止表面电位退化 [T3]。生长一层高质量的热氧化硅层可以保护晶体硅免受后续光刻前清洗（Pre-Litho Cleaning）和光刻操作中光刻胶的有机污染 [A2]。