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毯式硼（B）阱注入在去除 STI 氮化硅掩模后立即执行，旨在整个半导体衬底上建立基准 p 型电导率 [A2]。通过以无需光刻胶掩模的毯式注入方式执行此步骤，该工艺完全避免了通常与高能掩模注入相关的横向离子散射和邻近效应 [P1]。这一基础掺杂层有助于隔离相邻的有源区，防止深度微缩器件之间的亚表面穿通（punch-through），并为后续的局部 N 阱和沟道工程定义电学环境 [P3]。