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该氮化物刻蚀步骤是浅沟槽隔离（STI）模块中至关重要的图形转移操作，用于将光刻胶和中间硬掩模图形直接转移到主要的氮化硅层中 [P1]。与后续仅用于去除牺牲层的湿法刻蚀步骤或用于形成侧壁结构的各向异性间隔层回刻步骤不同，该高方向性干法刻蚀步骤严格定义了有源区的关键尺寸（CD） [A1]。在之前的氧化物/ARC开放步骤之后，等离子体必须选择性地将氮化物刻蚀干净，直至露出底层的衬垫氧化物（pad oxide） [P2]。