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工艺流程要求在 SiO 和 SiN 硬掩模堆叠沉积后立即进行光刻前清洗（Pre Litho Cleaning），以为有源区定义做好表面准备 [P1]。该步骤确保在用于浅沟槽隔离（STI）光刻模块的抗反射涂层和光刻胶旋涂之前，氧化物表面达到超净且无缺陷的状态 [P1]。与后续可能发生在复杂形貌上的光刻前清洗不同，此特定步骤针对的是平坦的沉积 SiO 硬掩模，它将作为后续衬底深沟槽各向异性刻蚀的主要模板 [P1]。