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在定义浅沟槽边界的各向异性硅刻蚀步骤之后，晶圆表面和沟槽侧壁不可避免地会覆盖刻蚀后残留物，包括氧氯化硅钝化膜和富含卤素的聚合物 [P1]。这一特定的灰化与剥离/清洗（Ashing & Strip/Clean）步骤至关重要，旨在清除这些副产物，并在进行沟槽侧壁钝化和 STI 衬垫氧化之前恢复沟槽原始的晶体硅状态 [P1]。与必须保护金属互连或 low-k 电介质免受腐蚀的后续后段工艺剥离步骤不同 [A1]，该前段工艺步骤直接作用于暴露的有源硅区 [P3]。