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在 STI 衬垫刻蚀回之后，沟槽表面和拐角会暴露在等离子体中，通常会留下碳氟聚合物、金属污染物或受损的硅 [P1]。在沉积高质量共形 CVD 氧化物以填充沟槽之前，必须对表面进行细致的清洗，以防止产生陷阱界面电荷或结构缺陷 [P1]。该预清洗步骤确保了后续 CVD 氧化物与原始表面接触，这对于保持相邻有源区之间稳健的电气和结构隔离至关重要 [P1]。通过制备完全洁净的界面，该工艺直接支持抑制深亚微米器件所需的寄生导通和漏电 [P1]。