STI Fill Conformal CVD Oxide - 40nm 工艺步骤

尽管流动性 CVD（FCVD）能够为极端深宽比提供类似液体的毛细填充，但在优先考虑结构完整性和初始湿法刻蚀抗性的情况下，只要沟槽几何形状具有足够的倾角，SACVD 仍然被广泛应用 [P1]。

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，浅槽隔离（STI）模块需要稳健的间隙填充工艺，以在相邻像素晶体管之间提供电学和结构上的隔离 [P3]。在完成沟槽刻蚀、衬垫层沉积和预清洗步骤后，STI 填充共形 CVD 氧化物作为主要的间隙填充材料，用于填充高深宽比的沟槽 [P2]。