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STI填充后清洗（STI Fill Post Clean）是一个至关重要的湿法工艺步骤，位于STI共形CVD氧化物沉积之后、高温致密化退火之前 [P3]。上游的共形CVD工艺（可能采用TEOS-O3或流体CVD (FCVD) 技术）会在沟槽中留下初始密度较低且亚稳态的电介质网络 [P1, P3]。如果沉积腔室内的空气污染物、金属痕量元素或松散的颗粒残留在此表面上，随后的高温退火会将这些杂质驱动至氧化物基质深处 [A2]。