40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

P-pinning离子注入（IIP）步骤对于在CMOS图像传感器中形成钉扎光电二极管（PPD）的表面P+层至关重要 [P1]。在N型光电二极管（PD）和浮置扩散区（FD）注入之后，该步骤直接在硅表面引入一层浅层的、高掺杂的p型层 [T3]。该层的主要功能是在物理上将n型电荷存储区与Si-SiO2界面隔离开 [P1]。通过维持较高的表面空穴浓度，该结构确保了界面态中没有电子，从而从根本上抑制了暗电流和白点缺陷 [P1]。