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在 Cu CMP 和随后对第一金属层 (M1) 进行清洗后，裸露的铜表面极易发生氧化，并成为扩散至后续介质层的快速扩散路径 [P3]。在沉积本体介质层之前，ILD 1-1 沉积工艺用于制备多功能的介质扩散阻挡层 (DB)、刻蚀停止层 (ES) 和铜覆盖层 (CCL) [P3]。与紧随其后沉积的本体 ILD 1-2 层不同，ILD 1-1 必须在 Cu 和 Ta 基衬垫层上直接提供致密、化学性质稳定的界面，以防止互连结构退化 [P3]。