40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中，这一特定的光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤充当了双层ILD 1沉积（ILD 1-1和ILD 1-2）与Via 1光刻模块之间的关键桥梁 [A2]。与以往处理体硅或栅极材料的光刻前清洗不同，此次迭代必须对新沉积且可能具有纹理的介质表面进行调节 [P3]。其目标是获得一个密度和化学成分均匀的原始表面，使整个晶圆达到后续高分辨率光刻系统严格的焦深（DOF）要求 [P3]。