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ILD 1-1 SiCN刻蚀步骤是纳米尺度后段工艺（BEOL）流程中通孔1（V1）集成模块的关键刻蚀停止层（ESL）开口工艺 [A2]。在清除大部分通孔介质的ILD 1-2氧化物刻蚀之后，刻蚀前沿会落在底部的SiCN层上，该层此前用于保护金属1（M1）铜免受工艺损伤和过刻蚀 [P4]。这一独特的SiCN突破步骤去除了阻挡层，从而物理暴露了M1导电布线，以便进行后续的通孔金属化（工程实践）。