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在 纳米尺度 后段工艺（BEOL）集成流程中，这一特定的灰化与去胶/清洗步骤紧接在 ILD 1-1 SiCN 刻蚀之后，该刻蚀暴露出下层的 Metal 1 (M1) 铜 [P3]。在之前的氟碳基等离子体刻蚀过程中，为确保刻蚀的各向异性和轮廓控制，会在介质侧壁上特意沉积高度交联的氟聚合物残留物 [P1]。然而，这些等离子体刻蚀后的残留物，连同任何残留的光刻胶以及从暴露的 M1 溅射出的铜物质，必须彻底清除，以确保后续 Via 1 金属化过程拥有一个洁净的界面 [P1]。