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此步骤将 Via 1 光刻图形转移到上层块体电介质（ILD 1-2 Oxide）中，以创建用于互连 Metal 1 和 Metal 2 的垂直通道 [A2]。在 Via 1 光刻步骤之后，此反应离子刻蚀（RIE）工艺严格去除 ILD 1-2 层，同时保留底层的 ILD 1-1 SiCN 层，该层充当保护性刻蚀停止层 [A2]。与用于制备硅表面或用于图形转移的薄硬掩模刻蚀的前段工艺垫氧化物刻蚀不同，此步骤需要通过厚块体电介质进行高深宽比刻蚀 [P3]。