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Metal 1 (M1) Cu 沉积代表了后段工艺（BEOL）互连结构中的第一层全局布线层 [A1]。与通常使用钨或高稳定性导电塞进行局部中段工艺（MOL）接触的 Metal 0 步骤不同，M1 开启了低电阻铜双大马士革（dual-damascene）方案 [A1]。此外，与上方的 Metal 2 至 Metal 4 布线层相比，M1 表现出最紧密的间距和最小的关键尺寸，这对特征填充能力提出了最严格的要求 （工程实践）。