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MET1 模块中的 CMP 后清洗步骤紧随大块铜互连及其下方 Ta 基阻挡层（barrier liner）的化学机械平坦化之后 [P2]。该步骤旨在彻底去除在浆料-抛光垫-晶圆界面产生的工艺残留物，从而为后续的 ILD 1-1 电介质沉积准备一个原始、无缺陷的表面 [P2]。前序的 Cu CMP 工艺利用过氧化氢水溶液将铜表面氧化成力学强度较弱的中间体，如 Cu-OH 和 Cu-O-Cu，随后这些物质被磨粒剪切去除 [P3]。同时，有机腐蚀抑制剂被用于钝化凹陷的 Cu 区域 [P1]。